（通讯员 徐霜、李洪）7月28日，武汉大学资产经营投资管理有限责任公司党委书记、董事长、科技成果转化服务中心主任齐振远一行赴浙江晶越半导体有限公司考察调研。浙江晶越半导体有限公司高冰董事长热情接待。

 座谈会在轻松愉快的氛围下进行，高冰董事长讲述了在武汉大学工业技术研究院从事科学研究的经历，详细介绍了创办晶越的初衷和情怀，公司所处的SiC行业特点和面临的市场环境及发展前景。高冰指出，受益新能源车行业爆发，SiC产业化黄金时代已经来临，SiC衬底为碳化硅降本的核心、也是技术壁垒最高环节，是未来SiC降本、大规模产业化推进的核心关键。他介绍，碳化硅衬底属于技术密集型行业，核心难点在于长晶工艺复杂，生长速度慢，产出良率低。晶越坚持把“产学研用”作为公司发展的重要推进动力，坚持技术创新引领，致力于通过核心技术研发，突破国外企业垄断，解决SiC衬底行业发展瓶颈。公司成立至今，已经在提升材料使用率、降低制造成本和提升生产效率取得了突破性进展。

 座谈会结束后，高冰董事长热情邀请齐振远董事长一行参观了晶越公司生产线，详细介绍了公司使命、发展历程和公司主营产品研发生产过程。齐振远对晶越半导体成立两年多来取得的突飞猛进的进展表示高度认可。参访过程中，齐振远详细了解了生产环节中涉及的技术难点，询问了后期生产线扩容的计划。他指出，良率问题直接与成本挂钩，最终影响产品的规模化应用进程，目前国产SiC衬底整体良率水平尚未达到理想的水平，国产化替代任重道远。齐振远希望晶越半导体公司在高冰董事长的带领下，充分利用技术研发优势，依靠科技创新推动区域经济发展，继续发挥持之以恒的决心及脚踏实地的拼搏，期待晶越半导体早日实现跨越式发展，实现“弯道超车”。

 在考察调研期间，双方还就彼此关注的问题进行了交流。随行参访的还有武汉大学工业科学研究院高级工程师东芳、武汉大学技术转移中心及武汉大学科技成果转化服务中心相关人员。